[미디어펜=조우현 기자]미국 마이크론이 5세대 고대역폭 메모리인 ‘HBM3E’ 양산을 시작한 가운데 삼성전자와 SK하이닉스도 상반기 양산을 예고했다. 

특히 삼성전자의 경우 업계 최초로 36GB(기가바이트) HBM3E(5세대 HBM) 12H(High, 12단 적층) D램 개발에 성공하며 업계 1위 굳히기에 나선다. 

27일 업계에 따르면 마이크론은 26일(현지시간) “HBM3E 솔루션의 대량 생산을 시작했으며 이번 24GB(기가바이트) 용량의 8H(8단) HBM3E는 올해 2분기 출하를 시작하는 엔비디아 ‘H200’에 탑재될 예정”이라고 밝혔다.

HBM은 데이터 처리 속도를 대폭 강화한 고성능 D램이다. 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램에 비해 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 것이 강점이다. 

현재 HBM의 주 수요처는 인공지능(AI) 시장으로, HBM의 성장 가능성은 AI 시장의 성장과 함께하고 있다. AI를 구동하기 위해 D램에 비해 빠른 연산속도를 가진 반도체를 GPU(그래픽처리장치)에 탑재해야 하기 때문이다.

이런 가운데 마이크론이 삼성전자와 SK하이닉스보다 HBM3E 제품 양산을 먼저 시작, 고객사까지 직접 언급하며 업계의 지각 변동을 알렸다.

마이크론의 HBM3E는 8단으로 D램을 쌓아 24GB 용량을 구현한 것으로, D램 칩은 10나노급(1b), TSV(실리콘 관통 전극) 등의 기술로 적층했다는 게 마이크론 측의 설명이다.

앞서 HBM 시장을 선점했던 삼성전자와 SK하이닉스는 HBM3E와 관련해 상반기 양산을 예고한 상태다.

먼저 곽노정 SK하이닉스 사장은 전날 오전 서울 중구 대한상공회의소에서 열린 ‘민·관 반도체 전략 간담회’에서 5세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBME3 양산 시기에 대해 “상반기 중일 것”이라며 “저희가 계획한 일정대로 (HBM3E 양산 준비를) 하고 있다”고 강조했다.

SK하이닉스는 지난해부터 HBM3E의 샘플을 엔비디아에 공급하면서 본격적인 양산을 준비해왔다. SK하이닉스는 4세대 HBM인 HBM3에 이어 이번 HBM3E을 엔비디아에 독점 공급한다. SK하이닉스의 HBM3E는 엔비디아의 그래픽처리장치(GPU)인 'B100'에 탑재될 것으로 보인다.

삼성전자 역시 이날 업계 최초로 36GB(기가바이트) HBM3E(5세대 HBM) 12H(High, 12단 적층) D램 개발에 성공했다고 밝혔다. 

HBM3E 12H는 초당 최대 1280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB을 제공해 성능과 용량 모두 전작인 HBM3(4세대 HBM) 8H(8단 적층) 대비 50% 이상 개선된 제품이다. 이는 마이크론을 능가하는 기술 수준이다. 

삼성전자는 ‘Advanced TC NCF(Thermal Compression Non Conductive Film, 열압착 비전도성 접착 필름)’ 기술로 12H 제품을 8H 제품과 동일한 높이로 구현해 HBM 패키지 규격을 만족시켰다고 강조했다.

‘Advanced TC NCF’ 기술을 적용하면 HBM 적층수가 증가하고, 칩 두께가 얇아지면서 발생할 수 있는 ‘휘어짐 현상’을 최소화 할 수 있는 장점이 있어 고단 적층 확장에 유리하다.

삼성전자는 ‘HBM3E 12H’가 AI 서비스의 고도화로 데이터 처리량이 급증하는 상황 속에서 AI 플랫폼을 활용하는 다양한 기업들에게 최고의 솔루션이 될 것으로 기대한다고 자신감을 드러냈다.

특히, 성능과 용량이 증가한 이번 제품을 사용할 경우 GPU 사용량이 줄어 기업들이 총 소유 비용(TCO, Total Cost of Ownership)을 절감할 수 있는 등 리소스 관리를 유연하게 할 수 있는 것이 삼성전자 측의 설명이다.

업계 관계자는 “메모리 반도체 시장을 선점하고 있는 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론이 연이어 HBM3E 양산을 알렸다”며 “지난해 고전을 면치 못했던 메모리 반도체 업계가 AI 시장을 만나 기술력으로 위기를 극복하고 있다”고 말했다.