[미디어펜=김견희 기자]삼성전자가 '삼성 파운드리 포럼(SFF)'을 앞두고 분주한 모양새다. 전영현 부회장 취임 후 맞는 첫 대규모 행사인 데다가 미국 주요 반도체·IT 기업들에게 기술력을 알리고 고객사를 확보할 수 있는 기회이기 때문이다. 

12일 업계에 따르면 삼성전자 파운드리 사업부는 오는 13~14일(한국시간) 미국 실리콘밸리에서 '삼성 파운드리 포럼·SAFE 포럼 2024'를 개최한다. 최시영 삼성전자 파운드리사업부장 사장을 비롯해 파운드리 사업부 전체가 출동하는 이 자리에서 회사는 파운드리 기술 로드맵과 인공지능(AI) 반도체 생태계 강화를 위한 전략을 발표할 계획이다.

이번 포럼은 전 부회장이 취임한 이후 열리는 첫 해외 행사라는 점에서도 업계의 관심이 뜨겁다. 삼성 파운드리(위탁생산) 수율 확대와 고대역폭메모리(HBM) 주도권 탈환이라는 과제를 안은 전 부회장이 반도체 부문에서 획기적인 기술과 시장 전략을 공개할 수도 있기 때문이다.

특히 TSMC와 인텔 등 경쟁사가 앞다퉈 1㎚(나노미터·10억분의 1ｍ) 급 첨단 공정 로드맵 시기를 앞당기고 있는 만큼 삼성 또한 이번 포럼에서 1나노급 공정 로드맵 시기를 앞당겨 발표할 것이라는 시각도 우세하다. 

당초 삼성전자는 2나노는 2025년, 1.4나노는 2027년으로 공정 양산 계획을 잡은 바 있다. 현재 업계 1위인 TSMC는 최근 1.6나노 칩 제조 기술인 A16을 2026년 하반기부터 도입하겠다고 밝혔으며, 인텔은 올해 연말 1.8나노 제품 양산에 들어간다고 발표했다.

AMD, ARM 등 주요 고객사도 무대에 선다. 먼저 빌 은 AMD 기업담당 부사장은 'AI시대의 전력 효율화에 대한 요구'라는 주제로 삼성전자와의 협업 현황과 미래 계획 등에 관해 발표할 예정이다. 업계는 AMD가 향후 삼성 파운드리에서 3나노 공정에 협력할 것으로 관측하고 있다.  

리사 수 AMD 최고경영자(CEO)는 지난달 24일 벨기에 아트베르펜에서 열린 '아이멕테크놀로지포럼(ITF) 월드 2024'에서 차세대 제품부터 3나노 게이트 올 어라운드(GAA)' 기술을 적용하겠다고 발표한 바 있다. 전류 채널을 늘려 데이터 속도와 전력 효율을 높인 기술 'GAA'를 적용해 3나노 반도체 양산에 성공한 기업은 삼성전자가 유일하다. 

전 부회장은 지난달 취임사를 통해 "파운드리 사업은 선두와 격차를 좁히지 못하고 있다"고 진단하면서 "새로운 각오로 상황을 냉철하게 분석해 어려움을 극복할 방안을 반드시 찾겠다"고 언급한 만큼 이번 포럼에서 어떤 턴키 전략이 나올지 세계의 눈이 쏠린다.