[미디어펜=김견희 기자]삼성전자에서 매년 개최하는 '삼성 파운드리 포럼'과 'SAFE 포럼' 개막이 다가온 가운데 업계 기대감이 고조되고 있다. 삼성전자는 이번 포럼에서 반도체 공정 기술 로드맵을 알리고 기업 가치를 제고하는 한편 여러 파트너사와 협력 방안을 논의할 전망이다. 

29일 업계에 따르면 삼성전자는 다음달 9일 서울 삼성동 코엑스에서 '삼성 파운드리 포럼(SFF) 2024·SAFE 포럼 2024'을 개최한다. 회사는 매년 미국, 한국, 일본, 유럽 등에서 순차적으로 행사를 열고 기업 가치를 알리고 있다. 

최시영 삼성전자 파운드리사업부 사장이 기조연설에 나서며 이장규 텔레칩스 사장, 박호진 어보브반도체 부사장, 오진욱 리벨리온 최고기술책임자(CTO) 등이 연사로 나서 삼성전자와의 협업 현황과 미래 과제 등을 발표한다. 

삼성전자는 이번 행사에서 AI 반도체 관련 기술 전략을 소개한다. 특히 AI칩 생산을 위한 파운드리·메모리·어드밴스드 패키지사업(AVP·첨단조립) 세 개 사업 부문을 원스톱 서비스로 이용할 수 있는 통합 솔루션 전략을 강조할 계획이다. 

통합 솔루션을 활용했을 때 가장 큰 장점은 생산 시간을 단축시킬 수 있다는 점이다. 삼성전자는 칩 개발부터 생산에 걸리는 시간이 파운드리, 메모리, 패키지 업체를 각각 사용했을 때 대비 약 20% 가까이 단축할 수 있다고 설명했다. 또 원스톱 서비스가 제품 생산 전 과정에서 이탈을 막는 락인(Lock-In) 효과를 극대화할 수 있을 것이라고 내다봤다. 

기술적 측면에서는 세계 최초로 적용한 '게이트 올 어라운드(GAA)' 기술을 강화해 공정 경쟁력을 높일 계획이다. GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터 게이트(전류가 드나드는 문)와 채널(전류가 흐르는 길)이 닿는 면을 4개로 늘린 차세대 기술로 기존 핀펫(FinFET) 대비 데이터 처리 속도가 빠르고 전력 효율이 높다.

삼성전자는 GAA 기반 2㎚ 공정 로드맵에서 후면전력공급 기술(BSPDN)을 적용한 'SF2Z' 공정을 추가해 2027년까지 도입할 계획이다. BSPDN은 전류 배선층을 웨이퍼 후면에 배치하는 기술로, 이를 통해 초미세 공정이 가능하다. 기존 2㎚ 공정 대비 소비전력·성능·면적(PPA) 개선 효과뿐 아니라 전류의 흐름을 불안정하게 만드는 전압강하 현상을 대폭 줄일 수 있어 고성능 컴퓨팅 설계 성능을 향상시킬 수 있다.

최시영 삼성전자 파운드리 사업부 사장은 "AI 시대에 가장 중요한 것은 AI 구현을 가능케 하는 고성능·저전력 반도체"라며 "AI 반도체에 최적화된 GAA 공정 기술과 광학 소자 기술 등을 통해 AI 시대 고객들이 필요로 하는 원스톱 AI 설루션을 제공할 것"이라고 말했다.

SAFE 포럼에서는 계종욱 삼성전자 파운드리사업부 디자인 플랫폼 개발실장 부사장, 샹카 크리슈나무티 시높시스 EDA 그룹 총괄 매니저 등이 참석해 AI 시대에 필요한 칩과 시스템 설계 기술의 발전 방향을 논의한다.

SAFE 포럼은 파트너사들이 기술 협업을 알리고 네트워킹을 강화하는 자리로 지난 2019년부터 열리고 있다.