[미디어펜=박규빈 기자]SK하이닉스가 중국 장쑤성 소재 우시(無錫) 공장에 반도체 초미세공정 핵심인 극자외선(EUV) 노광 장비를 두려는 계획이 미국의 반대로 좌초될 가능성 있다는 보도가 나왔다.
SK하이닉스가 업계 최초로 개발한 HBM3 D램. 사진은 기사와 무관./사진=SK하이닉스 제공
연합뉴스는 로이터 통신을 인용해 SK하이닉스가 네덜란드 반도체 장비 기업 ASML의 EUV 노광 장비를 우시 공장에 배치해 반도체 제조 공정 수율을 제고한다는 계획을 수립했으나 미국 정부의 반대를 뚫을 수 있을지 불투명하다고 18일 보도했다.
미국 정부는 반도체 장비가 중국의 군사력 증대에 악용될 수 있다는 이유로 이 같은 첨단 장비의 중국 반입을 제한해왔다. 백악관 고위 관계자는 SK하이닉스의 EUV 장비 중국 반입 허용 여부에 대한 질문에 언급을 거부한 것으로 전해진다.
SK하이닉스는 우시 공장에서 자사 D램 칩의 절반 가량을 생산하고 있다. 이는 전세계 D램 생산량 중 15% 수준이다.
로이터 통신은 SK하이닉스가 EUV 장비로 공정을 개선하지 않을 경우 비용 절감·생산 속도 개선이라는 두 가지 목표를 이뤄내기 어렵다고 봤다. 아울러 SK하이닉스가 수년 내로 이 문제를 극복하지 못할 경우 경쟁사인 삼성전자·마이크론 등과의 경쟁에서 불리한 위치에 놓이게 될 것 이라고 전망했다.
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