[미디어펜=이미경 기자] 삼성전자가 3D V낸드 등으로 TLC의 한계를 극복하면서 SSD(솔리드 스테이트 드라이브)의 대중화를 이끌고 있다. 또 올해 2분기부터 TLC 제품을 양산하는 SK하이닉스가 뒤를 받친다.

3일 시장조사기관 IHS 테크놀로지와 반도체 업계에 따르면 셀 유형별 웨이퍼 비중은 올해 2분기부터 TLC가 49.4%를 점유, MLC(멀티레벨셀, 47.4%)를 추월할 것으로 보인다.

셀 유형은 데이터 저장의 최소단위인 셀(cell)에 몇 비트(bit)를 저장할 수 있느냐에 따라 나뉜다.

SLC(싱글레벨셀)는 1비트(0,1)의 데이터를 저장하고 MLC는 2비트(00,01,10,11), TLC는 3비트(000,001,010,011,100,101,110,111)의 데이터 저장이 가능하다.

TLC는 저장 효율이 2∼3배 뛰어나 고용량화가 가능하다는 장점이 있지만 속도와 안정성은 SLC, MLC에 비해 약간 떨어진다.

작년까지만 해도 MLC 비중이 58∼66%로 압도적이었다. TLC는 32∼41% 정도였다.

그러다 올해 1분기 TLC 비중이 45%대로 올라와 MLC에 6%포인트 차이로 따라붙었고 2분기부터 역전하는 것으로 전망됐다. 내년 4분기에는 TLC 비중이 56%대, MLC는 13%대에 불과할 것으로 보인다.

삼성은 2013년 4월 10나노급 128Gb(기가비트) TLC를 본격 양산했고 작년 10월 세계 최초로 TLC를 적용한 V낸드를 양산했다. 지난해 12월에는 TLC V낸드를 기반으로 한 SSD ‘850 EVO’를 출시, 올해 3월에는 TLC 기반의 128GB(기가바이트) eMMC를 양산할 예정이다.

SK하이닉스는 16나노 128Gb TLC 제품을 올해 2분기부터 본격 양산해 솔루션 제품 위주로 판매를 확대할 계획이다.

SK하이닉스는 TLC 기반의 SSD도 올해 3분기 중 출하하고 3D 낸드에서도 48단 TLC 제품을 올 연말 원가 경쟁력이 있는 시장에서 양산할 방침이다.