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삼성전자‧SK하이닉스, 2017년도 '반도체'로 환하게 웃는다

2017-01-30 09:00 | 조한진 기자 | hjc@mediapen.com
[미디어펜=조한진 기자]‘반도체 코리아’가 쾌속 질주를 거듭하고 있다. 차별화 기술력을 앞세워 메모리 반도체 시장을 주름 잡는 삼성전자와 SK하이닉스의 얼굴에는 웃음이 더 진해지고 있다. ‘정유년’에도 우호적인 시장 환경이 조성될 것으로 전망되면서다.

30일 전자업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 올해도 반도체 시장에서 지배력과 수익성을 극대활 할 것으로 관측된다.

양사의 반도체 사업은 지난해 나란히 경쟁력을 과시했다. 지난해 4분기 삼성전자는 반도체 사업에서 매출 14조8600억원, 영업이익 4조9500억원을 기록했다. 이는 분기 기준으로 사상 최대 실적이다.

SK하이닉스 경기도 이천 M14 공장 전경 /SK하이닉스


SK하이닉스는 지난해 4분기에 매출 5조3577억원, 영업이익 1조5361억원을 달성했다. SK하이닉스가 분기 영업이익 1조원을 넘어선 것은 2015년 3분기 이후 5분기 만이다. 매출은 분기 기준 사상 최대다. 

반도체‧증권업계에서는 삼성전자와 SK하이닉스의 상승세가 당분간 계속될 것으로 내다보고 있다. 특히 올해는 양사의 역대 최대 실적이 나올 가능성이 크다는 시각이다. D램과 낸드 플래시 메모리 가격 상승 등 유리한 시장 환경이 조성될 것이라는 전망이 힘을 얻고 있다.

증권업계는 올해 1분기에 삼성전자 반도체 부문의 영업이익이 5조원을 넘어설 것으로 예상하고 있다. 하반기에는 6조원대 영엽이익이 전망 되는 등 신기록을 계속 갈아치울 가능성이 크다.

SK하이닉스도 역대 최고 영업이익 기록을 작성할 전망이다. 증권업계에서는 1분기에 2조원 초반대 영업이익이 가능하다는 분석이 나오고 있다.

삼성전자와 SK하이닉스는 기술 고도화와 차별화 제품 등을 앞세워 시장 지배력을 더 확대한다는 계획이다. 최근 중국의 도전이 거세지고 있지만 주도권을 놓치지 않겠다는 전략이다.

삼성전자의 낸드 플래시 사업은 V-낸드 투자에 집중할 예정이다. 64단 V-낸드 공정 전환과 고성능 서버용 솔리드스테이트드라이브(SSD) 등 프리미엄 시장에 대응하면서 기술 격차를 유지하고 수익성을 확보한다는 계획이다.

D램은 10나노급 D램 공정 전환을 본격화해 기술 리더십을 강화하고, 고용량·고성능 등 고부가 제품 판매에 주력한다는 방침이다.

아울러 삼성전자는 오토모티브·웨어러블·사물인터넷(IoT) 등 제품 다변화와 이미지센서·디스플레이구동칩(DDI) 등의 공급을 확대한다는 계획도 갖고 있다.

삼성전자는 올해 중반부터 경기도 평택의 메모리 반도체 라인을 가동할 예정이다. 이 시설에서 제품이 본격 생상되면 삼성전자의 시장 경쟁력은 더욱 확대될 전망이다.

이정 유진투자증권 연구원은 "D램과 3D 낸드 플래시 메모리에서 절대적인 시장지배력을 보이고 있는 삼성전자 반도체부문의 실적은 견조한 수요 증가와 가격 호조 등에 힘입어 올해도 크게 성장할 것"이라고 예상했다.

삼성전자의 10나노급 8기가비트 D램 /삼성전자


올해 SK하이닉스는 20나노 초반급 D램 공정전환을 가속화하는 한편, 10나노급 D램도 양산을 시작해 수익성을 강화한다는 방침이다.

낸드플래시는 경기도 이천공장 M14 2층에 3D 제품을 위한 클린룸을 마련해 수요 성장에 대응할 수 있는 기반을 마련할 예정이다. 4세대(72단) 3D 제품도 개발을 완료하는 대로 양산을 시작할 계획이다.

SK하이닉스 관계자는 컨퍼런스콜에서 “올해 투자금액은 약 7조원을 예상한다”며 “D램 투자는 전년에 비해 감소하고 3D 낸드 플래시 캐파 확대를 위한 투자는 전년보다 증가할 것”이라고 밝혔다.

[미디어펜=조한진 기자]
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